SSD накопители: Форм-фактор 2.5"; Интерфейс SATA III
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сбросить фильтры
Сортировать по:
Показано
20 товаров из 89
89 товаров
Топ продаж
SSD накопитель Intenso Top 512Gb
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
520 МБ/с
Скорость записи:
490 МБ/с
Тип ячеек памяти:
MLC
SSD накопитель Samsung 870 EVO 500Gb (MZ-77E500BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Kingston A400 480Gb (SA400S37/480G)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
480 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
500 МБ/с
Скорость записи:
450 МБ/с
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Silicon Power Ace A55 1Tb (SP001TBSS3A55S25)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Goodram CL100 120Gb (SSDPR-CL100-120-G3)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
120 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
500 МБ/с
Скорость записи:
360 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS350X 1Tb
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
540 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Samsung 870 EVO 1Tb (MZ-77E1T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Patriot Burst Elite 120Gb (PBE120GS25SSDR)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
120 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
450 МБ/с
Скорость записи:
320 МБ/с
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Samsung 870 EVO 2Tb (MZ-77E2T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS350 128Gb Panther
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
128 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
540 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Transcend SSD230 256Gb
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D V-NAND
SSD накопитель Kingston A400 960Gb (SA400S37/960G)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
960 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
500 МБ/с
Скорость записи:
450 МБ/с
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Kingston SSDNow KC600 512Gb (SKC600/512G)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
550 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Время наработки на отказ:
1000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Patriot P220 256Gb (P220S256G25)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
550 МБ/с
Скорость записи:
490 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Transcend SSD230 512Gb (TS512GSSD230S)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D V-NAND
SSD накопитель Patriot P220 512Gb (P220S512G25)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
550 МБ/с
Скорость записи:
500 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Western Digital 1Tb Blue (WDS100T2B0A)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1750000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Kingston SSDNow KC600 1Tb (SKC600/1024G)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
550 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Время наработки на отказ:
1000000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 QVO 2Tb (MZ-77Q2T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 QVO 8Tb (MZ-77Q8T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
8000 ГБ
Объем буфера обмена:
8000 МБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
530 МБ/с
Скорость записи:
560 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND